東北大学の研究グループは、直径一桁ナノメートル領域で様々なアプリケーションの要求

性能に応じてカスタマイズできる磁気トンネル接合（ＭＴＪ）素子を提案。スピン移行トルク磁気抵抗メモリ（ＳＴＴ－ＭＲＡＭ）の記憶素子をカスタマイズする技術を確立した。

ＭＴＪにＣｏＦｅＢ／ＭｇＯ材料系からなる積層磁性層構造を導入。その膜厚や積層回数を変化させて、車載応用に必要な高温での高いデータ保持特性やＡＩ用途などで求められる高速データ書き込みを一桁ナノメートル領域で満たすことができると実証した。

研究グループは「これは、ＳＴＴ－ＭＲＡＭが将来の極微細世代の半導体技術にて幅広い用途に展開可能であることを示す重要な成果だ」としている。