産業技術総合研究所（産総研）は、次世代の不揮発性メモリー「ＳＯＴ－ＭＲＡＭ」の実用化の鍵となる「アモルファスＷ－Ｔａ－Ｂ合金」を開発。スピン流を高効率に生成することによって消費電力の大幅な低減に成功した。

高効率で生成されたスピン流が記憶素子（ＭＴＪ）に注入されることで、低い電流密度で磁石の向きが反転してＭＴＪの電気抵抗が不連続に変化する。アモルファスＷ－Ｔａ－Ｂ合金をＳＯＴ－ＭＲＡＭの微細配線に用いることにより、低消費電力の情報書き込みと半導体チップ製造プロセスに適合する耐熱性が実現されたという。

今後について「ＳＯＴ－ＭＲＡＭ素子のさらなる高性能化および素子アレイの集積化に取り組むとともに、開発された材料や技術の産業界への橋渡しを推進していく」としている。