東京工業大学の宮島晋介准教授らは、低温で形成できる「シリコンヘテロ接合（ＳＨＪ）太陽電池」用の半導体「水素化アモルファスシリコン（ａＳｉ：Ｈ）」を、強い爆発性を有する「ＳｉＨ₄ガス」を使用せずに高速かつ低ダメージで形成する手法を確立した。

シリコンウェハ表面に高品質なａＳｉ：Ｈ層を形成することで、表面での電池の出力低下を抑制することは重要だ。だが、既存の方法では爆発性や毒性を持つＳｉＨ₄ガスを用いる必要がありコスト増加の一因となっていた。

宮島教授らは「大面積製膜の実証が進めば、ＳＨＪ太陽電池やペロブスカイト/シリコンタンデム太陽電池の低コストプロセスの実現が期待できる」とコメントしている。