東京大学と産業技術総合研究所は共同で、鉄（Ｆｅ）と酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の２層構造からなる電極をもつホウ素(Ｂ)を添加した半導体の２０ナノメートルのチャネル長を有する二端子デバイスによって、磁場で制御可能な「抵抗スイッチ（ＲＳ）効果」を初めて観測した。

研究グループは抵抗変化率が２５%に及ぶ大きな抵抗変化を磁場で実現した。これにより「スピンを利用した抵抗ランダムアクセスメモリやニューロモルフィックコンピューティングデバイスなどの実現につながる」としている。