京都大学と物質・材料研究機構（ＮＩＭＳ）、立命館大学の研究チームはルチル型酸化物半導体「ルチル型（ｒ－）ＧｅxＳｎ₁－ｘＯ₂混晶」の格子整合エピタキシーによる高品質化との高品質なｒ－ＧｅｘＳｎ₁－ｘＯ₂（ｘ＝～０．５３）薄膜を用いたショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）の動作実証に成功した。

３機関は結果について「他のルチル型構造を有する酸化物半導体における研究開発に寄与できるとともに、将来的には持続可能で環境にやさしい社会インフラの実現に大きく貢献できる」としている。