早稲田大学の川原田洋教授らの研究グループは１３日、ダイヤモンドパワー半導体を社会実装するうえで重要な高速スイッチング技術を開発したと米国の「国際デバイス会議」で発表した。パワーエレクトロニクスへの大きな貢献が期待されている。

研究グループでは、ダイヤモンド表面を従来の水素（C－H）でなく酸化シリコン (C－Si－O)で覆う新たなデバイス構造を提案した。

それによりダイヤモンドｐチャネル ＭＯＳＦＥＴ (ｐ－ＭＯＳＦＥＴ) の正孔移動度が、パワー半導体ＳｉＣ ｎ－ＭＯＳＦＥＴの電子チャネル移動度よりも高くなる技術を開発することに成功した。

川原田教授は「今後は、さらに量産化に適したデバイスプロセスの開発や高耐圧化をより簡単な構造にて実現することを目指したい」としている。