名城大学の岩谷素顕教授らとウシオ電機㈱などの研究グループは、深紫外半導体レーザーの高出力化に必要不可欠である縦型ＡｌＧａＮ系深紫外（ＵＶ－Ｂ）半導体レーザーを開発したと発表した。これを集積することにより皮膚病治療などの医療技術としても使うことができる。

縦型縦型系深紫外半導体レーザーを開発するためには「絶縁性の基盤を剥離する技術の開発」「半導体プロセスの開発」「光共振器の形成技術」の３つの技術革新が必要であったが、それらの課題を全てクリアして新たなレーザーを生み出した。

このレーザーは室温駆動で動作させると、非常に鋭い発光スペクトル、ＴＥ偏光特性、そしてしきい値電流の確認など、レーザー特有の特性を⽰した。この結果から、作製した縦型 ＡｌＧａＮ 系深紫外半導体レーザーは波⻑ ２９８．１ナノメートルのＵＶ－Ｂ領域に相当する深紫外レーザー光を放射することが確認されている。

研究グループは「レーザーを集積化することにより数十ワット~数百ワットの超小型レーザー光源を提供することができ、それらはバイオテクノロジー、皮膚病治療などの医療用途や ＵＶ 硬化プロセス、レーザー加工など工業分野への応用が期待される」としている。