東京大学の竹中教授らの研究グループは１１日、ＪＳＴ戦略的創造研究推進事業による支援のもと、化合物半導体薄膜を光の伝送路である「シリコン光導波路」上に貼り合わせた光位相器を、強誘電体がゲート絶縁膜となるトランジスタで駆動する新手法を考案。強誘電体をメモリとして用いることで、電源をオフにしても光位相の情報が失われない不揮発動作を光位相器に付与することに成功した。

シリコン光回路中で広く用いられている光位相器の多くは、電源をオフにすると演算に必要な光位相情報が消えるため、動作させるには常に電源をオンにしておく必要があり、無駄な電力消費につながっていた。このため、電源をオフにしても光位相情報が消えないメモリ機能を有する不揮発光位相器の実現が強く望まれている。

この課題を解決するため研究では、強誘電体トランジスタで光位相器を駆動する手法を考案。不揮発光位相器を開発した。研究チームがこれまでに開発した化合物半導体薄膜をシリコン光導波路と組み合わせたハイブリッド光位相器を強誘電体トランジスタで駆動することで、電源をオフにした状態でも光位相情報が失われない不揮発動作の実証に成功した。