中央が井上史大准教授

横浜国立大学は13日、井上史大准教授がディスコ、東レエンジニアリングと共同開発した「新たなチップ集積手法による Die-to-Wafer ハイブリッド接合技術の開発」が、半導体・オブ・ザ・イヤー2024の優秀賞を受賞したと発表した。

受賞技術は新たな仮接合技術により、高いボンディング位置合わせの精度、コスト削減を伴う異種3D集積などを可能とした。新時代の基盤となる応用可能性の大きい技術であることが評価され、優秀賞を獲得している。

半導体・オブ・ザ・イヤーは産業タイムズ社が毎年開催しており、製品や技術の新規性、影響、将来性を基準に同社記者の投票によって選定されている。

井上准教授は「今後も半導体の低消費電力化、高性能化を目指して、装置と集積技術の開発を進め半導体業界のさらなる発展に貢献していく」としている。