電力中央研究所とデンソー、ニューフレアテクノロジー、レゾナックは、研究開発テーマ「高品質ＳｉＣ単結晶膜の高速製造技術の開発と応用」について「第５０回岩谷直治記念賞」を共同で受賞したと発表した。

岩谷直治記念賞はエネルギーおよび環境に関する優れた技術開発で、顕著な産業上の実績が認められている業績を表彰するもの。

４社の研究によりＳｉＣ単結晶膜の高速成膜と高均一化、欠陥密度の大幅低減を同時に実現。これはＴＯＹＯＴＡの新型「ＭＩＲＡＩ」にも採用されている。岩谷直治記念財団はＳｉＣパワー半導体の適用用途を拡大するための鍵となっていた高品質かつ大口径のＳｉＣ単結晶膜の高速製造技術を確立したことを評価して、同賞を授与した。